电子级硫酸主要应用于电子硅晶片生产过程的清洗和蚀刻。
硅圆片在加工过程中，常常会被不同的杂质所沾污，可引起大规模集成电路产率下降50%左右。硅圆片上不溶性固体颗粒或金属离子可能在微细电路之间导电，使之短路，几个金属离子或灰尘足以使线宽较小的大规模集成电路报废。
Na、Ca等碱金属杂质会融进氧化膜中，导致耐绝缘电压下降。当硅圆片表面附着有Cu、Fe、Cr、Ag等重金属杂质时，会使P—N结耐电压降低，影响大规模集成电路电性能。硼、磷、砷等杂质离子会影响扩散剂的扩散效果，尘埃颗粒会造成光刻缺陷，氧化层不平整，影响制版质量和等离子蚀刻工艺。
为了获得高质量、高产率的集成电路芯片，必须除去各种沾污物，这需要使用非常纯净的化学试剂来清洗硅圆片，硫酸和过氧化氢按比例组成有强氧化性的SPM清洗液，在120～150℃下对硅片进行清洗时，可将金属氧化后溶于溶液中，并能把物氧化成CO2和H2O。它还可用于光刻过程中的湿法蚀刻及终的去胶，借助于化学反应从硅圆片的表面除去固体物质，导致固体表面全部或局部溶解。
